Promettente tecnologia per nuove memorie con GeSb
11/12/2006 23:00 CET
L'hanno annunciata IBM, Macronix e Qimonda, sarà disponibile nel 2015. Una piccolissima memoria a stato solido che cambia la fase 500 volte più velocemente delle attuali memorie flash e che consuma meno della metà di energia.
La partnership tra IBM, Macronix e Qimonda ha annunciato, in occasione dell'IEEE/IEDM – International Electron Devices Meeting di San Francisco, la volontà di proseguire negli studi di un semiconduttore basato su GeSb – lega di germanio e antimonio.
Saranno nuove memorie non volatili, ad alta densità, capaci di rendere gli avvii dei computer immediati, miniaturizzare le memorie per lettori MP3 portatili o delle fotocamere digitali.
Questa nuova memoria cambia la fase 500 volte più velocemente delle attuali flash consumando meno della metà di energia elettica. Le attuali flash degradano e dopo 100.000 riscritture non sono più utilizzabili.
Moduli più miniaturizzati rispetto al limite teorico della circuiteria a 45 nm delle attuali flash SRAM e DRAM, raggiungendo anche i 22 nm. Una sezione del nuovo modulo misura solo 3 x 20 nm.
Ulteriori dettagli saranno forniti mercoledì mattina (orario della California) 13 dicembre quando le tre aziende dimostreranno il prototipo.
Lo scorso giugno la giapponese Elpida Memory ha mostrato un prototipo di memoria a stato solido a fase variabile denominata PRAM, pronta per il mercato in due o tre anni.
