Samsung: prime memorie flash da 16 Gb @ 50 nm
03/01/2007 10:00 CET
Raddoppio delle prestazioni e velocità in scrittura dei dati radicalmente migliorata. La produzione sarà avviata entro marzo.
Raddoppio delle prestazioni e velocità in scrittura dei dati radicalmente migliorata. La produzione sarà avviata entro marzo.
Samsung ha annunciato la disponibilità dei primi esemplari di memorie flash dedicate ad apparati mobile, con circuiteria a 50 nm e in tagli da 16 Gb.
Sono memorie MLC – multi-level cell con paging da 4 KB che fanno un passo avanti rispetto a quelle convenzionali con 2 KB, con performance in scrittura superiori del 150%.
L'introduzione sul mercato di queste memorie ad alta densità velocizzerà l'adozione dei dischi con memoria a stato solido non volatile.
La produzione di massa delle memorie NAND da 16 Gb partirà nel primo trimestre dell'anno.
